科技之锤第532部分在线阅读

显然，大佬们没有看评论区的习惯。
当然这也不能怪他们，现在三月那条微博的评论区已经有十多万条评论，看了便让人望而生畏，别说这些每天忙不赢的大佬了，不是那种闲到极致的网友估计都没那个兴趣点开评论区。
“哎，这个我听助手说了，他会上网，据说是什么新材料、新工艺。”
“新材料？新工艺？那不是要革现阶段半导体行业的命？忽悠人的吧？这玩意儿咋就可能突然冒出来？”
“就是说嘛，哎，对了，老张，你怎么看？”
旁边国科大的王教授将目光看向一直没吭声的张元，问了句。
“怎么看？就坐这儿看呗。”
张元笑了笑，放下茶杯，随口说了一句今天刚从微博上学来的俏皮话，然后才认真起来：“人工智能平台毕竟是我们没接触的领域，老田之前还专门打电话跟我提过，我们研究所的一些数据是不是直接接入到平台，这事所里还在讨论。咱们先假定这人工智能真的解决一些现在我们的痛点，说不得我们也打算有限度的开放数据库了。”
张元话音刚落，便有人质疑道:“不是，你们该不是真信那个小家伙能翻天吧？那个宁为不是搞数学的吗？编程也厉害，但他对半导体还能有很深的研究？”
说话的是微电子所的研究员、博士生导师冯正刚，虽然这话直白了些，甚至有些得罪人，不过大概也说出了会议室里这些人的心声。
“哈哈，老冯啊，话也别说这么死。那个小宁还是我一个学生的偶像。我那学生也说了，燕北那个小宁啊，每个月都要搞点大新闻出来。上个月大家都知道，上了个展示会，全世界都知道他开发的人工智能程序特别厉害。这不，在往前还有什么湍流算法啊、爆锤他们数学圈的老前辈啊、跟公主的绯闻啊。你们看啊，这都二月了，要真照小宁一月搞一次大新闻的定律，时间也差不多到了。”张元笑着打趣道。
“老张啊，你这是嫌摩尔定律不够热闹，也想弄出个宁为定律来？一个月搞出一个大新闻，上个月人工智能，这个月半导体新材料、新技术，那这接下来的日子可就有盼头咯。”
“哎，听大家聊得这么开心我到想起一个事情。你们可能不知道，之前我们隔壁的高能所跟燕北大学搞材料的老谭合作了一个热电材料的项目，项目成功之后一起吃饭，我正好也去了，饭桌上就听老谭说了，这个项目中间还真遇到些困难，他们就是请了那个小宁去，结果人家一天就给出了方案，把问题完美解决了。而且据说新材料的效果还特别好，好像说是论文已经投了sce，都过了初审。”
“哦？还有这种事情？那这个小宁还真是全才啊。”张元感叹了句。
大家正聊得开心，会议室大门突然被推开，工作人员急匆匆的走了进来，激动的冲着所有人说道：“众位老师，请大家先移步到隔壁的实验室，有些东西需要借助众位老师的专业知识评判一下。”
说完，这位年轻的工作人员还没忘跟通过视频连线的几位院士解释了一下：“视频参会的老师们请稍等一下，我们的检测报告等会会通过会议系统，发送到你们的后台，大概半小时后，会议正式开始。”
大佬们面面相觑，看这样子，是真的有大新闻？
但不管怎么样，来都来了，自然还是听人家的安排，于是所有人跟着工作人员走出了行政楼，来到后院的实验大厅内，有序的洗手、清洁之后套上白大褂，走进了微电子所的实验室。
刚一进去，张元便看到了正在电脑前发呆的老朋友，也是微电子所的知名院士钟成明。
虽然这位大佬外界知道的人不多，但在华夏半导体领域却是当之无愧的大拿级人物。
这位钟院士早年有海外留学经历，并在ad、ib、sandisk等多个世界一流的芯片公司从事过cpu、fsh等高性能芯片研究与产品开发工作，在国外工作了十年后，与2012年回国发展，并留在了微电子所一直到今天。
其他的功绩暂且不提，这位大佬在业界最知名的举动大概是在四年前曾经直接向英特尔宣战，向法院提起诉讼，指控tel侵犯中科院微电子所的fi专利，要求赔偿至少2亿元，同时请求法院对酷睿系列产品实施禁售。
要知道这可不是无理取闹。当年tel曾在中国和美国两地试图5次去无效掉中科院微电子所的这件fi专利，最终都以失败告终。
这项华夏专利号zl2011102409315的专利主要就是能够有效提升芯片集成度并降低制造成本，属于当年最先进的半导体技术核心专利，当年正是在这位钟院士带领下，无数人攻关获得的成功。虽然最后这场官司以双方和解告终，但在当时的环境下的确在业内惹起了极大的轰动。
“嘿，老钟啊，我说怎么今天没看到你呢，搞了半天在实验室呢？”张元一进门便打了声招呼。
“老张，来了啊，你来看看这个，太神奇了。大家都来看看吧。”回头看到张元，钟成明根本来的寒暄，直接招手说道。
“哦？来了，来了。”一群刚进实验室的大佬们纷纷凑到了屏幕前，此时操作台电脑屏幕上显示的是通过微分干涉显微镜观察到的芯片内部结构，如果能看到芯片本体大概就会发现，昨晚三月手搓出的芯片封装已经被拆开，内部的完整结构全部通过显微镜展现在显示器上。
入目是按照一定规律排列整的管状硅，硅管体内外部分都攀附着密密麻麻的晶体管，切换角度还能看到硅底座上有线路将所有这些硅通管做着连接。
“这，三维结构的？”
“对，三维结构的！今天拿过来的，一共给了我们三枚芯片进行检测，其中两枚在做性能方面的测试，这一枚我们直接拆开了研究内部结构。它的基底材料依然是硅，但是晶体管全部使用的是t材料。整体采用的是180n的制作工艺，显然这工艺水平还有极大的进步空间。”
“还有刚才已经出来部分性能检测报告，具体报告等会大家都能看到，现在只能告诉大家，结果还是很喜人的。天才的设计，真的，天才的设计。”
“他是怎么解决散热问题的？”
“散热问题，看这里，你们看这是基地跟封装上的结构，看到边缘上的碳纳米束了吧？这个设计客服了界面热阻，硅通孔侧口外壁边缘跟内部分别有四条线，这里是用碳纳米管进行填充，这种材料导热率远大于传统材料，热度更容易被传递出去，应该属于一种新的全碳散热结构。”
一排咽口水的声音，很快又有新的质疑。
“他这是怎么解决这种阵列带来的串扰问题？这些硅通管如果同时加载电信号，输出噪声的峰值应该是各个单体通管输出噪声累加的吧？这样设计真的不会有噪声串扰问题？”
“对，当时看到这个结构我最先也怀疑这个问题，但你们看啊，这是检测报告，证明了输出噪声并不比我们传统的制造更大，这个问题我也没太想清楚，不过经过一些简单的电信号测试，我发现为了解决这个问题，芯片大概率是采用了信号与地间隔排列的方式。”
“来，大家看这个动态模拟，我们已经根据这个排列做了初步的建模。首先把工作信号注入，设定信号峰值为1v，周期分别为1ns跟01ns，上升时间跟下降时间为周期的4，占空比为05，信号线接下端开路，上端接50
Ω负载，按照电路模型运算结果显示，其峰值串扰噪声对其性能造成的影响几乎可以忽略不计。因为即便是在其满负载运转之下，相邻信号处理始终是间隔排列的，也就是内通跟外通两种排序，对此我只能说，这真特么是天才的设计！”
大佬们面面相觑……
“还有，这里是我们预测的传输特性，通过公式大概计算了其各项电路参数，这里是阻抗参数，发现没有，这一结构除了散热之外，使用碳纳米管束通道填充技术还提高了信号传输性能，这里量子电容的影响基本可以忽略，这里也就只有电阻跟电感的变化。”
“同志们，这是全新的材料跟全新的结构跟全新的制作工艺啊！180n制作工艺的性能已经足以跟市面上60n制造工艺生产的射频芯片性能相抗衡，甚至一些特性要优于目前的传统芯片！可想而知，如果这项技术用于通用芯片设计，比如cpu、gpu，这哪里是芯片？这特么是未来啊！”